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ChromaModel 19501-k局部放電測(cè)試儀
| 產(chǎn)品型號(hào)： |
Model 19501-k |
| 品 牌： |
Chroma |
| 價(jià)格電議,您可以向供應(yīng)商詢價(jià)得到該產(chǎn)品價(jià)格 |
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| 所 在 地： |
北京豐臺(tái)區(qū) |
| 更新日期： |
2026-04-13 |
| | 品牌：Chroma | | 型號(hào)：Model 19501-k | | 加工定制：否 | |
| | 適用范圍：- | | 測(cè)量通道：- | | 傳感器類型：- | |
| | 測(cè)量頻帶：- | | 程控濾波器分段：- | | 測(cè)量范圍：- | |
| | 工作頻率：- | | 外形尺寸：65×150×36.5 mm | | 上升時(shí)間：＜50 納秒 | |
| | 脈沖重復(fù)頻率：100Hz | | 電源：9V 電池 | | 頻 率：50Hz、60Hz±0.1% | |
| | 頻率：正弦波 | | 電源：9V 電池 | | 頻 率：50Hz、60Hz±0.1% | |
Chroma Model 19501-k 局部放電測(cè)試儀，Chroma 19501-K 局部放電測(cè)試儀單機(jī)內(nèi)置交流耐壓測(cè)試（Hipot Test）與局部放電（Partial Discharge, PD）檢測(cè)功能，可提供 0.1kV~10kV 交流電壓輸出，漏電流測(cè)量范圍為 0.01µA~300µA。現(xiàn)在熱賣中，如需購買，可通過愛儀器儀表的客服熱線聯(lián)系我們！
Chroma 19501-K 局部放電測(cè)試儀單機(jī)內(nèi)置交流耐壓測(cè)試（Hipot Test）與局部放電（Partial Discharge, PD）檢測(cè)功能，可提供 0.1kV~10kV 交流電壓輸出，漏電流測(cè)量范圍為 0.01µA~300µA，局部放電檢測(cè)范圍為 1pC~2000pC，專為高壓半導(dǎo)體元件與高絕緣材料的測(cè)試應(yīng)用而設(shè)計(jì)開發(fā)。
該產(chǎn)品設(shè)計(jì)符合 IEC60270-1 標(biāo)準(zhǔn)，針對(duì)高壓試驗(yàn)技術(shù)中對(duì)局部放電測(cè)試的要求，采用窄頻濾波器（Narrowband）測(cè)量技術(shù)進(jìn)行局部放電量檢測(cè)，并將測(cè)量結(jié)果以直觀的數(shù)值（pC）顯示在屏幕上，方便用戶清晰了解待測(cè)物的測(cè)試判定結(jié)果。
在產(chǎn)品設(shè)計(jì)上，除符合 IEC60270-1 標(biāo)準(zhǔn)外，還滿足光耦合器 IEC60747-5-5 及 VDE0884 標(biāo)準(zhǔn)要求，儀器內(nèi)部?jī)?nèi)置 IEC60747-5-5 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測(cè)試方法，能滿足光耦合器產(chǎn)品生產(chǎn)測(cè)試需求，并為用戶提供便捷的操作界面。
在生產(chǎn)線上執(zhí)行高壓測(cè)試時(shí)，若待測(cè)物未能正確、良好地連接測(cè)試線，將導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果失敗，甚至存在漏測(cè)風(fēng)險(xiǎn)。因此，測(cè)試前確保待測(cè)物與測(cè)試線的良好連接至關(guān)重要。Chroma 獨(dú)特的高壓接觸檢查功能（High Voltage Contact Check: HVCC）采用開爾文（Kelvin）測(cè)試方法，針對(duì)高絕緣能力的元件，在高壓輸出的同時(shí)同步進(jìn)行接觸檢查，提升測(cè)試有效性與生產(chǎn)效率。
當(dāng)固體絕緣物中存在氣隙或絕緣層內(nèi)混合雜質(zhì)時(shí)，在額定工作高壓狀態(tài)下，由于氣隙處電場(chǎng)強(qiáng)度較高，會(huì)產(chǎn)生局部放電（Partial Discharge）。持續(xù)性的局部放電會(huì)長(zhǎng)期劣化周圍絕緣材料，影響電氣產(chǎn)品的長(zhǎng)期可靠性，進(jìn)而引發(fā)安全事故。
應(yīng)用于電源系統(tǒng)的安規(guī)元件（如光耦合器），若元件長(zhǎng)期發(fā)生局部放電，會(huì)破壞絕緣材料，導(dǎo)致絕緣失效，進(jìn)而引發(fā)用戶人身安全問題。因此，IEC60747-5-5 標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定，在生產(chǎn)過程中（例行測(cè)試）必須 * 執(zhí)行局部放電（Partial Discharge）檢測(cè)，在*大絕緣電壓條件下，放電量不得超過 5pC，以確保產(chǎn)品在正常工作環(huán)境中不會(huì)發(fā)生局部放電現(xiàn)象。
局部放電測(cè)試儀主要針對(duì)高壓光耦合器、高壓繼電器及高壓開關(guān)等高絕緣耐受能力的元件，提供高壓耐壓測(cè)試與局部放電檢測(cè)，保障產(chǎn)品質(zhì)量并提升產(chǎn)品可靠性。
19501-K 局部放電測(cè)試儀特點(diǎn)
單機(jī)內(nèi)置交流耐壓測(cè)試與局部放電檢測(cè)功能
可編程交流耐壓輸出：0.1kVac~10kVac
高精度及高分辨率電流表：0.01µA~300µA
局部放電（PD）檢測(cè)范圍：1pC~2000pC
高壓接觸檢查功能（HVCC）
符合 IEC60747-5-5、VDE0884、IEC60270 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試要求
內(nèi)置 IEC60747-5-5 測(cè)試方法
測(cè)量與顯示單元分離式設(shè)計(jì)
三段電壓測(cè)試功能
局部放電（PD）測(cè)量結(jié)果數(shù)值顯示（pC）
局部放電（PD）不良發(fā)生次數(shù)判定設(shè)定（1~10）
多語言操作界面（繁體中文 / 簡(jiǎn)體中文 / 英文）
USB 畫面抓取功能
圖形化輔助編輯功能
標(biāo)準(zhǔn) LAN、USB、RS232 遠(yuǎn)程控制接口
局部放電（Partial Discharge）釋義
局部放電指在絕緣物體的局部區(qū)域發(fā)生放電，且未在兩電極間形成固定放電通道的放電現(xiàn)象。
局部放電測(cè)試儀向待測(cè)物施加特定條件的電壓，測(cè)量其視在放電電荷量（PD），既驗(yàn)證待測(cè)物承受瞬間高壓（耐壓測(cè)試）的能力，也驗(yàn)證其在額定工作電壓下的絕緣完整性。局部放電測(cè)試能夠檢測(cè)待測(cè)物是否存在異常氣隙，通過施加略高于元件*高額定工作電壓的局部放電電荷測(cè)試，檢驗(yàn)電氣元件在正常工作電壓條件下的長(zhǎng)期可靠性。但在實(shí)際生產(chǎn)中，絕緣材料內(nèi)部不可能完全不存在氣隙，因此 IEC60747-5-5 光耦合器標(biāo)準(zhǔn)針對(duì)局部放電測(cè)試，規(guī)定其放電電荷量不得大于（qₚₒₗ=5pC）。
絕緣固體中因氣泡產(chǎn)生局部放電的說明
空氣的介電系數(shù)低于絕緣材料的介電系數(shù)，因此氣泡處的電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)大于正常絕緣時(shí)的分壓。
空氣可承受的電場(chǎng)強(qiáng)度低于絕緣材料，容易在氣泡處產(chǎn)生氣泡放電（Void Discharge）。
其中，Ca 為絕緣介質(zhì)其余部分的等效電容；Cc 為氣隙等效電容；Cb 為絕緣介質(zhì)與氣隙串聯(lián)部分的等效電容。
局部放電測(cè)試儀校正
局部放電測(cè)試設(shè)備用于測(cè)量和判定微小放電量，其信號(hào)極其微弱且快速，因此局部放電測(cè)量設(shè)備必須經(jīng)過*校正，才能確保局部放電發(fā)生時(shí)，高頻放電信號(hào)能夠被準(zhǔn)確測(cè)量。校正器上使用的標(biāo)準(zhǔn)電容 C₀通常為低壓電容器，執(zhí)行局部放電（PD）校正時(shí)，局部放電測(cè)試儀需在不帶電狀態(tài)下進(jìn)行，針對(duì)局部放電（PD）放電量 q₀=V₀C₀（如圖所示）。
圖中各參數(shù)說明：U 為工作電壓；Z 為隔離阻抗容量；Ca 為待測(cè)物；Ck 為耦合電容；Zm 為測(cè)量系統(tǒng)的輸入阻抗；CD 為耦合裝置；Cc 為測(cè)試線；MI 為局部放電測(cè)試測(cè)量裝置；PG 為直角波產(chǎn)生器；V₀為直角波電壓。
高精度測(cè)量
Chroma 19501-K 具備高精度的局部放電測(cè)量功能，設(shè)有兩個(gè)測(cè)量檔位，分別為 200pC 和 2000pC 檔位，測(cè)量范圍為 1pC~2000pC。在 200pC 檔位下，*佳分辨率為 0.1pC。高精度的測(cè)量能力及直觀的測(cè)量結(jié)果顯示，有助于對(duì)高絕緣物體進(jìn)行微小放電量的判定與分析。
抗干擾結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
局部放電測(cè)試儀配備窄頻域?yàn)V波器，用于測(cè)量被測(cè)元器件的微小放電量。然而，測(cè)試儀器在工廠環(huán)境中的使用與實(shí)驗(yàn)室環(huán)境不同，工廠環(huán)境中的干擾因素相對(duì)較多，可能包括現(xiàn)場(chǎng)自動(dòng)化機(jī)械運(yùn)轉(zhuǎn)、馬達(dá)啟動(dòng)或其他高頻輻射干擾。因此，在生產(chǎn)線上使用時(shí)，環(huán)境噪聲干擾會(huì)增加，進(jìn)而影響局部放電（PD）的測(cè)量與判定。如何降低并避免局部放電設(shè)備的測(cè)量回路受到高頻輻射干擾，是生產(chǎn)業(yè)者與自動(dòng)化設(shè)備商面臨的一大難題。
局部放電發(fā)生時(shí)，放電反應(yīng)速度極快（通常為納秒級(jí)），屬于高頻放電且信號(hào)極其微弱，因此容易受到周圍高頻輻射干擾，導(dǎo)致測(cè)量誤差，增加測(cè)量系統(tǒng)的不確定因素。如何在*測(cè)量局部放電（PD）放電量的同時(shí)，避免受到這些高頻輻射干擾，是局部放電儀器設(shè)計(jì)技術(shù)中的一大挑戰(zhàn)。
Chroma 19501-K 局部放電測(cè)試儀充分考慮到設(shè)備使用環(huán)境中可能存在的不可避免的高頻輻射干擾，因此在產(chǎn)品設(shè)計(jì)架構(gòu)上采用測(cè)量與顯示單元分離式設(shè)計(jì)，將測(cè)量模塊外移，以*接近待測(cè)物的方式進(jìn)行測(cè)量，減少因測(cè)試線過長(zhǎng)而容易受到周圍環(huán)境高頻輻射干擾的情況。同時(shí)，在測(cè)量線路設(shè)計(jì)上采用信號(hào)隔離方式，測(cè)試端以*短回路方式使用探針出線，并在低壓回路端采用銅環(huán)隔離環(huán)境輻射干擾，避免局部放電（PD）測(cè)量回路受到外部噪聲干擾，確保測(cè)量精度。
產(chǎn)品應(yīng)用
光耦合器標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用
IEC60747-5-5 標(biāo)準(zhǔn)中，已明確規(guī)定光耦合器相關(guān)的電氣安全要求、安全試驗(yàn)及測(cè)試方法等內(nèi)容，為光耦合器元件提供了安全應(yīng)用的指導(dǎo)性準(zhǔn)則。Chroma 19501-K 局部放電測(cè)試儀符合該標(biāo)準(zhǔn)對(duì)電氣安全測(cè)試的要求及測(cè)試方法。標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定，光耦合器在生產(chǎn)過程中必須 * 執(zhí)行局部放電測(cè)試（Partial Discharge Test），并明確了局部放電測(cè)試電壓要求，供生產(chǎn)業(yè)者參考。生產(chǎn)測(cè)試時(shí)，局部放電測(cè)試電壓定義為：以 1.875 倍常數(shù)乘以標(biāo)稱的*高絕緣工作電壓或重復(fù)發(fā)生的*大絕緣峰值電壓（取兩者中的較高值），作為局部放電測(cè)試電壓，其電壓計(jì)算公式參考如下：
Vₚd = F×Vᵢₒwm（若 Vᵢₒwm>Vᵢₒᵣₘ）
其中，F(xiàn) 為加嚴(yán)常數(shù)（常態(tài)測(cè)試 F=1.875；樣品測(cè)試 F=1.6；耐久性后測(cè)試 F=1.2）；Vᵢₒwm 為*高絕緣工作電壓；Vᵢₒᵣₘ為重復(fù)發(fā)生的*大絕緣峰值電壓。
符合 IEC 60747-5-5 與 VDE 0884 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試
Chroma 19501-K 產(chǎn)品針對(duì)光耦合器產(chǎn)業(yè)應(yīng)用，內(nèi)置 IEC60747-5-5 標(biāo)準(zhǔn)中要求的測(cè)試方法（b1）、方法（b2）與方法（b3）等三個(gè)測(cè)試模式，并以圖形顯示輔助用戶進(jìn)行程序編輯設(shè)定，幫助用戶快速學(xué)習(xí)并便捷操作儀器，提升操作人員的使用效率。
三段電壓測(cè)試
除滿足光耦合器標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試要求外，針對(duì)部分生產(chǎn)廠商在生產(chǎn)工藝中需要額外以高于標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試電壓執(zhí)行絕緣耐壓測(cè)試并加入局部放電（PD）放電量檢測(cè)，以提升元件質(zhì)量及工廠內(nèi)部加嚴(yán)品質(zhì)管控的需求，Chroma 19501-K 獨(dú)特的三段電壓測(cè)試功能，新增第三階段品質(zhì)管控測(cè)試電壓，可同時(shí)滿足標(biāo)準(zhǔn)要求與生產(chǎn)質(zhì)量管控的目的。（注：加嚴(yán)檢測(cè)后，生產(chǎn)業(yè)者仍需將測(cè)試電壓降至標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的測(cè)試電壓（Vₚd）再執(zhí)行檢測(cè)，確保產(chǎn)品符合標(biāo)準(zhǔn)要求。）
局部放電（PD）不良發(fā)生次數(shù)判定設(shè)定
局部放電測(cè)試儀在元件絕緣品質(zhì)檢測(cè)中，必須能夠*測(cè)量到元件的微小放電量。當(dāng)局部放電（PD）發(fā)生時(shí)，其信號(hào)極其微弱，且容易受到環(huán)境中高頻輻射干擾而造成測(cè)量偏差。因此，為降低生產(chǎn)過程中因外部干擾而產(chǎn)生的誤判行為，Chroma 19501-K 局部放電測(cè)試儀允許用戶設(shè)定局部放電（PD）不良發(fā)生次數(shù)的判定條件，確保局部放電測(cè)試儀測(cè)量到的放電量來自待測(cè)物，而非受到周圍環(huán)境的一次性干擾。
當(dāng)局部放電測(cè)試儀向固體絕緣施加高壓時(shí)，絕緣固體中的空隙放電量會(huì)隨著電壓變化而發(fā)生周期性放電，因此放電量相較于環(huán)境中的高頻噪聲是相對(duì)穩(wěn)定且持續(xù)發(fā)生的。故 19501-K 設(shè)計(jì)為：放電量必須累計(jì)在連續(xù) 4 個(gè)電壓半波周期內(nèi)至少發(fā)生一次，且超過*大放電量，才會(huì)計(jì)數(shù)一次；若判定次數(shù)未連續(xù)發(fā)生，則局部放電（PD）不良發(fā)生次數(shù)判定將歸零并重新計(jì)數(shù)，直至連續(xù)發(fā)生次數(shù)超過用戶設(shè)定的次數(shù)，測(cè)試結(jié)果才判定為不良。
條件成立：在每個(gè)電壓半波周期均發(fā)生局部放電（PD）放電；或在連續(xù) 4 個(gè)半波周期內(nèi)發(fā)生第二次局部放電（PD）放電（*大放電量≤5pC）。
條件不成立：在連續(xù) 4 個(gè)半波周期內(nèi)未發(fā)生第二次局部放電（PD）放電（*大放電量≤5pC）。
高壓接觸檢查功能（HVCC）
針對(duì)高絕緣能力的元件，在高壓輸出時(shí)進(jìn)行接觸檢查至關(guān)重要。Chroma 獨(dú)特的高壓接觸檢查功能（High Voltage Contact Check: HVCC）采用開爾文（Kelvin）測(cè)試方法，針對(duì)高絕緣能力的元件，在高壓輸出的同時(shí)同步進(jìn)行接觸檢查，以提升測(cè)試可靠性與生產(chǎn)效率。
訂購信息
19501-K：局部放電測(cè)試儀
A195001：局部放電（PD）校正器
B195000：電磁遮蔽罩
B195001：高壓連接轉(zhuǎn)接座
B195002：DIP 測(cè)試治具
Model 19501-k 局部放電測(cè)試器產(chǎn)品規(guī)格
| 型號(hào) |
19501-K |
| 交流輸出電壓 |
|
| 范圍 |
0.10kV~10.00kV，步進(jìn) 0.01kV |
| 電壓精度 |
±（設(shè)定值的 1% + 滿量程的 0.5%） |
| 負(fù)載調(diào)整率 |
±（設(shè)定值的 1% + 滿量程的 0.5%） |
| 頻率 |
50Hz、60Hz±0.1%，正弦波 |
| 測(cè)量 |
|
| 電壓顯示精度截止電流 |
±（讀數(shù)的 1% + 滿量程的 0.5%），10V 分辨率 |
| 漏電流表 * 1 |
范圍：0.01µA~300.0µA；30µA 檔位：0.50µA~29.99µA；300µA 檔位：30.00~300.0µA；精度：±（讀數(shù)的 1% + 滿量程的 2%） |
| 局部放電檢測(cè)器 |
|
| 范圍 |
200pC 檔位：1.0pC~200pC，分辨率 0.1pC；2000pC 檔位：10pC~2000pC，分辨率 1pC |
| 精度 * 2 |
±（讀數(shù)的 1% + 滿量程的 0.5%） |
| 測(cè)試時(shí)間 |
0.3~99.9 秒，步進(jìn) 0.1 秒；精度：±（設(shè)定值的 0.2% + 10 毫秒） |
| 上升 / 下降時(shí)間 |
0.1~9.9 秒，步進(jìn) 0.1 秒 |
| 局部放電（PD）檢測(cè)延遲時(shí)間 |
0~9.9 秒，步進(jìn) 0.1 秒 |
| 高壓接觸檢查功能（HVCC）*3 |
新增高壓（HV）及回路（RTN）接觸端子，測(cè)試電流 < 10mA，開路電壓典型值 5Vdc；檢查功能可選擇開啟或關(guān)閉 |
| Handler 接口 |
36 針連接器，所有輸入 / 輸出均為負(fù)邏輯且光電隔離的集電極開路信號(hào)（使用普通速度光耦合器）；所有輸出必須通過 10kΩ 電阻上拉至外部電源（+VEXT）；所有輸入光電二極管必須串聯(lián)限流電路（+3V~+26V 時(shí)，電流 10mA±4mA） |
| 遠(yuǎn)程接口 |
RS-232、USB（B 型）、USB 閃存盤（A 型）*4、LAN |
| 內(nèi)存存儲(chǔ) |
200 組儀器設(shè)定 |
| USB 閃存盤（A 型） |
存儲(chǔ)測(cè)試參數(shù)、結(jié)果及波形（BMP 格式）（擴(kuò)展功能）；可存儲(chǔ) / 調(diào)用一組測(cè)試程序及參數(shù)；可將所有內(nèi)存數(shù)據(jù)備份 / 恢復(fù)至 USB 閃存盤；支持*大 32GB 的 USB 閃存盤 |
| 一般規(guī)格 |
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| 工作環(huán)境范圍 |
18℃~28℃（64℉~82℉），相對(duì)濕度 70% |
| 可操作范圍 |
0℃~45℃，相對(duì)濕度 15%~95%（≤40℃且無冷凝） |
| 存儲(chǔ)范圍 |
-10℃~50℃，相對(duì)濕度≤80% |
| 電源要求 |
100Vac~240Vac，50/60Hz |
| 功耗 |
空載：<150W；額定負(fù)載：<400W |
| 尺寸（寬 × 高 × 深） |
主機(jī)：428×176×500 毫米 / 16.9×6.9×19.7 英寸；高壓盒：203×200×307 毫米 / 8×7.9×12.1 英寸 |
| 重量 |
主機(jī)：20.5 千克 / 45.19 磅；高壓盒：13.2 千克 / 29.10 磅 |
| A195001（局部放電校正器） |
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| 范圍 |
100pC 檔位：1.0、2.0、5.0、10.0、20.0、50.0、100.0pC，注入電容：典型值 1pF；2000pC 檔位：20、50、100、200、500、1000、2000pC，注入電容：典型值 20pF |
| 極性 |
正、負(fù) |
| 精度 |
±（讀數(shù)的 3% + 0.5pC） |
| 上升時(shí)間 |
<50 納秒 |
| 脈沖重復(fù)頻率 |
100Hz |
| 可操作范圍 |
0℃~45℃，相對(duì)濕度 15%~95%（≤40℃且無冷凝） |
| 存儲(chǔ)范圍 |
-10℃~50℃，相對(duì)濕度≤80% |
| 電源 |
9V 電池 |
| 功耗 |
*大 50mA |
| 尺寸（寬 × 高 × 深） |
65×150×36.5 毫米 / 2.56×5.91×1.44 英寸 |
| 重量 |
約 500 克 |
備注
1：電流精度僅適用于容性負(fù)載。
2：局部放電（PD）測(cè)量使用符合 IEC60270 標(biāo)準(zhǔn)的校正脈沖發(fā)生器進(jìn)行驗(yàn)證，測(cè)量精度規(guī)格定義為校正發(fā)生器的相對(duì)誤差。
3：若接觸電阻 > 10kΩ，判定為開路；反之，若接觸電阻 < 100Ω，判定為合格。
規(guī)格如有變更，恕不另行通知。
